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  • 高性能FLASH存儲器在DSP電機智能保護中的應用

    時間:2024-07-08 07:24:43 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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    高性能FLASH存儲器在DSP電機智能保護中的應用

    摘要:DSP芯片以其高速、實時性等優(yōu)點逐步被用到電機保護中,利用高性能外圍器件尤其是外圍存儲器與DSP的硬件匹配是充分發(fā)揮其優(yōu)點的必要條件。文中以基于TMS320C32高速CPU為核心芯片的智能型電機保護裝置為模型,介紹了高性能FLASH芯片Am29F010B與DSP芯片的硬件接口電路、軟件編程技術以及應注意的問題和設計技巧。

    國內的電動機保護裝置種類繁多,但隨著現代大中型電動機對保護要求的不斷提高和VLSI技術的不斷進步,傳統(tǒng)的基于熱敏電阻、機械式繼電器和電子式等保護模式均因可靠性不高,容易出現誤操作等缺點已不能滿足需要;而以單片機為核心的數字或保護裝置的運算速度不高、資源有限、數據處理能力和可擴展性不好等問題日益突出。新的相關理論和技術(如小波變換、自適應保護、故障診斷、模糊整定等)的出現加速了高性能和綜合型微機保護的發(fā)展,但這不僅要求更高性能的CPU(如近年飛速發(fā)展的系列DSP芯片)的支持,而且還要有與之相適應的外圍存儲器的支持。鑒于此,筆者在開發(fā)基于DSP的大中型智能電動機保護裝置(系統(tǒng)結構功能如圖1)時,在外擴存儲器方面采用了AMD公司生產的Flash芯片Am29F010B。該Flash memory因容量大、體積小、功耗低、成本低等優(yōu)點而被廣泛應用于消費類電子、軍事、航空航天等領域。它可以在線更新,并具有較高的靈活性,因而可與高性能CPU芯片TMS320C32達到良好的配合,從而可顯著提高系統(tǒng)性能和可靠性。

    1 硬件設計

    1.1 TMS320C32芯片的特點

    美國TI公司生產的TMS320系列DSP芯片以其改進的哈佛總線結構、獨立的指令系統(tǒng)、專用硬件乘法器、多種尋址方式等優(yōu)點以及高速數據處理能力廣泛應用在通訊、雷達、工業(yè)控制等領域。TMS320C32是TI的第一代浮點DSP芯片TMS320C3X系列中的一款高性能浮點芯片,是對TMS320C30、TMS320C31中的不常用資源進行簡化、并對其性能進一步改進后的高性價比處理器。它具有增強的外部存儲器接口,可以靈活方便地存取8/16/24/32位數據。它支持16/32位外部程序,從而為其外圍接口電路設計提供了很大的靈活性;其硬件上增加的一個非常有用的程序引導(Bootloader)功能使其程序可以從低速EPROM、PROM或串口裝入到系統(tǒng)的高速RAM中全速運行;它所配備的C編譯器具有很高的效率,可直接用匯編語言或兩者相結合使用,因而靈活性和實時性都很強;由于中斷矢量表可重設位,因此,將其應用到電動機保護中可以大大提高整個保護裝置的各項性能。

    1.2 Flash Memory芯片Am29F010B

    Am29F010B是AMD公司生產的多功能閃爍內存,它的主要技術特點如下:

    *可單電壓(5V)進行讀、寫操作;

    *高性能,最大存取時間為45ns;

    *可靠性極高,可重復編程不小于10萬次,數據保持大于100年;

    *低功耗(讀操作,寫/擦除操作以及空閑狀態(tài)的電流典型值分別為12mA、30mA和1μsA);

    *具有扇區(qū)擦除能力,對于所分成的8個完全一樣的分扇區(qū),既可以塊擦除,也可以整個芯片一起擦除;

    *嵌入式擦除算法可自動地預編程和擦除芯片,它可以將設好的扇區(qū)用嵌入式編程算法自動地編程以把數據寫到特定的地址;

    *帶有JEDEC標準的Flash EEPROM管腳輸出和命令集;

    *具有編程周期結束檢測功能,可縮短等待時間;

    Am29F010B存儲器采用PDIP,PLCC,TSOP封裝,圖2給出了Am29F010B的PDIP封裝引腳圖,各引腳的功能如下:

    DQ7~DQ0:雙向數據線,可用于輸出數據或寫入命令和數據。

    A0~A16:地址線,其中A16~A14為扇區(qū)地址,可用000~111代表8個扇區(qū),A13~A0為扇區(qū)內的字節(jié)地址。

    CE:片選線,低電平有效,高電平時芯片處于空閑狀態(tài);

    OE,WE:分別為讀、寫控制線。圖3給出了對FLASH編程時,CE、OE和WE的狀態(tài)時序。

    其中,PD為編程數據,tch為CE持續(xù)時間,tcs為CE建立時間,tDS為數據建立時間,tDH為數據維持時間,twp為寫脈沖寬度。

    1.3 Am29F010B與TMS320C32的硬件接口

    Am29F010B與TMS320C32的硬件接口電路原理圖如圖4所示。圖中,Am29F010B的17根地址線A0~A16分別與TMS320C32的A0~A16相連。每片Am29F010B的容量為128k×8B。在本開發(fā)系統(tǒng)中,數據采用的是32位浮點數,連接方法是將四片8位數據寬的Am29F010B一起與TMS320C32連接,即將四片Am29F010B的D0~D7依次與TMS320C32的D0~D7、D8~D15、D16~D23及D24~D31連接,總容量為128k×32B。

    TMS320C32的外擴存儲器的尋址空間范圍由三組相互獨立的控制信號STRB0、STRB1和IOSTRB來控制,可用于對相互獨立的存取空間進行操作而不會出現端口沖突。所不同的是,IOSTRB只能用32位寬的程序或數據存儲器進行存操作;STRB0和STRB1由各自的四個控制引腳來實現,可以用8/16/32位寬的存儲器存取8/16/32位數據,還可以用16或32位寬的程序存儲器進行存取操作,因而比較靈活。

    圖4的設計中使用的是STRB0,Flash所占的128k×32B存取空間的地址范圍為000000H~01FFFFH,外圍程序存儲器配置為32位,可由PRGW置低電平來實現。此時各片的片選信號CE分別由STRB0-B0、STRB0-B1、STRB0-B2、STR

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