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硬件工程師筆試題目
筆試題一：
1)三極管的三個(gè)工作區(qū)域及條件(放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū))
2)PCB的3W原則和20H原則(3W是相鄰走線的中心間距大于3倍標(biāo)準(zhǔn)線寬，H指的是電源層與底層之間的介質(zhì)的厚度，把電源層的邊緣向內(nèi)所20H以上)
3)PCB相鄰層走線的方向(盡量相互垂直)
4)第三代移動(dòng)通信技術(shù)3G的制式有哪幾種?(移動(dòng)TD-SDCMA、聯(lián)通WCMDA、電信CDMA2000)
5)SDRAM和FLASH的區(qū)別?程序加載在哪里運(yùn)行?為什么?(SDRAM——靜態(tài)同步RAM，F(xiàn)LASH——閃存。程序加載在SDRAM里，因?yàn)槠渥x寫速度快于FLASH)
6)摩爾狀態(tài)機(jī)和米勒狀態(tài)的區(qū)別?(Moore：輸出只與狀態(tài)有關(guān)，與輸入無(wú)關(guān);Melay：輸出與狀態(tài)和輸入都有關(guān))
7)“線與”問題。(“線與”就是將邏輯門的輸出直接并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)邏輯與的功能。前提條件：邏輯門必須為OC/OD門)
8)鎖相環(huán)的結(jié)構(gòu)組成?
9)同步電路和異步電路的時(shí)鐘問題?
10)射頻電路中，射頻功率dbw的計(jì)算。(0dbw+0dbw = ?)
11)短路傳輸線的特征阻抗計(jì)算公式?
12)射頻測(cè)量的注意事項(xiàng)?影響天線發(fā)射效率的主要因素是啥?
13)If語(yǔ)句和switch語(yǔ)句的應(yīng)用與區(qū)別
14)PCM編碼的采樣頻率是多少?
15)基于理想運(yùn)算放大器的反相比例放大電路的計(jì)算。
16)CMOS集成電路和TTL集成電路相關(guān)
17)51單片機(jī)的MOVX指令尋址空間?51單片機(jī)復(fù)位后，各寄存器SP、PSW等的值
18)元器件的熱性能參數(shù)
19)異步通信方式?握手、異步FIFO、雙口RAM
20)高頻電路中，史密斯圓圖的原點(diǎn)代表的阻抗是多少?加電容和電感，史密斯圓圖點(diǎn)旋轉(zhuǎn)方向?
21)TTL電平和CMOS電平的接口問題
22)直流發(fā)電機(jī)知識(shí)
23)空調(diào)的組成知識(shí)
24)CMOS集成電路輸入腳懸空問題
25)音頻功放電路的輸出端的濾波電容的大小估算?(低通濾波電容)
26)提高電路的工作頻率方法?(流水線技術(shù)?綜合時(shí)時(shí)序約束條件?最先到達(dá)的信號(hào)接近信號(hào)接收寄存器?)
筆試題二：
1)假設(shè)LED的導(dǎo)通電流為5mA，計(jì)算限流電阻的大小。(此題主要考察LED的正向?qū)▔航怠W姆定律。LED導(dǎo)通電壓降一般為1.5V到2.5V，因顏色不同而不同)
2)JTAG的各信號(hào)線是什么意義?(JTAG為聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)小組的英文簡(jiǎn)稱，主要信號(hào)線為：TDI——測(cè)試數(shù)據(jù)輸入，TDO——測(cè)試數(shù)據(jù)輸出，TCK——測(cè)試時(shí)鐘，TMS——測(cè)試模式選擇，TRST——測(cè)試復(fù)位)
3)IIC總線協(xié)議。為什么總線需要上拉電阻?(SDA——串行數(shù)據(jù)線，SCL——串行時(shí)鐘線。為了避免總線信號(hào)的混亂，要求各設(shè)備連接到總線輸出端時(shí)，為OD或者OC輸出。上拉電阻作用為保持總線有正常的高電平輸出)
4)AD電路中，為什么采用磁珠濾波，而不是用電感?
5)按鍵的中斷是電平觸發(fā)還是邊沿觸發(fā)?兩者有什么區(qū)別?(電平出發(fā)，如果中斷處理時(shí)間短于電平的時(shí)間，則會(huì)發(fā)生多次觸發(fā)中斷)
6)按鍵消抖。(軟件延時(shí)消抖，硬件雙穩(wěn)態(tài)RS觸發(fā)器消抖，最經(jīng)濟(jì)的硬件消抖方式——RC電路濾波)
7)驅(qū)動(dòng)蜂鳴器的三極管工作在哪個(gè)區(qū)?如果拿來(lái)作為反相器呢?(放大區(qū)，做反相器時(shí)工作在飽和區(qū)和截止區(qū))
8)PCB的兩條平行走線過(guò)長(zhǎng)，會(huì)有什么后果?
9)四層PCB的層信號(hào)分布怎樣的?為什么這樣就EMC性能好?(信號(hào)層、地層、電源層、信號(hào)層)
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